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Leuven ICP刻蝕設備

Leuven ICP刻蝕設備.jpg


儀器簡介

電感耦合等離子刻蝕設備,通過等離子體輝光放電將反應氣體分解,產生的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面,對樣品表面進行刻蝕作用。


性能指標

6"及以下wafer、chip;刻蝕均勻性±3%(6"wafer);刻蝕精度:0.01um


應用范圍

主要用于Si、SiO2、SIN 、graphene,ITO、Al2O3、GaN、GaAs、InGaAs等材料的干法刻蝕。


工藝圖:


0.3um 石英孔鏈

圖片1.png


光學硅透鏡器件

圖片2.png


淺硅槽刻蝕

圖片3.png

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