通過(guò)探針掃描樣品，利用臺(tái)階高低差原理可計(jì)算出樣品臺(tái)階的高度差及表面輪廓。主要用于光刻膠、SIO2、SI3N4、金屬薄膜等厚度測(cè)量以及介質(zhì)刻蝕深度測(cè)量。適用于6inch及以下wafer，chip。

主要技術(shù)指標(biāo)

掃描針頭：

12.5um；

掃描范圍：

50um~55mm；

三種測(cè)試輪廓模式可選（hills、valleys、hills and valleys）；

測(cè)試精度：

± 0.01um；

最大測(cè)試臺(tái)階高度：

524um。